长鑫科技股东会：合肥、北京两地晶圆厂保持高产能利用率运转

10月19日，长鑫科技召开2026年第二次临时股东会。

会上，针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题，长鑫科技回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。

结合当前的宏观与产业环境，长鑫科技进一步称，公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容，预计2025年至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。面对广阔市场机遇，技术路线上，公司坚持自主研发与“跳代研发”策略，已完成从第一代到第五代工艺技术平台的产品迭代；产品端已实现从LPDDR4X到DDR5、DDR5X，再到最新的LPDDR6的全系列产品覆盖。

在谈及未来的战略布局与核心竞争力时，长鑫科技管理层重点表示，公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”，以创新工艺突破固有技术瓶颈。

此前，长鑫科技预计2026年前三季度实现归母净利润1310亿元至1325亿元，实现同比扭亏为盈。长鑫科技表示，财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。

（文章来源：中国证券报·中证金牛座）