高盛：内存短缺预计持续至2027年

截至14:23，市场震荡反弹，同指数费率最低标的——科创芯片ETF（588290）下跌0.42%，支持T+0、聚焦港股硬科技的——港股通信息技术ETF（513240）下跌0.68%。成分股方面，联芸科技上涨9.37%，思瑞浦上涨5.17%，迈富时上涨4.16%，华海清科上涨3.4%，恒玄科技上涨2.04%。

消息面上，高盛报告指出，内存短缺预计持续至2027年，不过市场对价格涨势产生分歧。多头认为HBM和DRAM订单已排至2027年，长期协议锁定了高利润；空头则认为价格涨速放缓，可能于明年二三季度见顶后回落，高利润率正促使客户重新设计芯片，英伟达或降低HBM堆叠，保守投资者已下调内存市盈率。

马斯克称需求增200%而供应仅增20%，苹果正测试长鑫内存以缓解压力。在AI软件方面，高盛认为并非全是输家，接近数据层的公司股价反弹，纯应用软件仍承压；开源模型成本不到闭源模型8%，企业倾向采用。此外，预计2027年超大规模数据中心35%资本支出靠债务融资，全球相关发债约4000亿美元，但1.4万亿美元的股票回购有望消化AI公司股票供给。

相关研究机构表示，存储行业正处于涨价周期，AI服务器与HBM需求持续挤占先进DRAM产能，三星、美光、SK海力士、铠侠等原厂通过长协锁定供给，导致供需缺口中期难以缓解，行业逻辑指向关注受益于存储涨价的原厂及模组厂，HBM与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会，以及企业级SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。

（文章来源：每日经济新闻）