AI算力引爆新材料赛道,科创新材料ETF(588010)逆市涨超2%

东方财富证券 06-11 11:03

6月11日盘中,A股主要指数走弱,创业板指跌1.03%,此前一度涨超1.4%;沪指跌0.55%,深成指跌0.91%。物理AI、影视院线、体育等板块指数跌幅居前,沪深京三市下跌个股超4500家。

上证科创板新材料指数(000689)逆市涨超2%,成分股华特气体涨超16%,神工股份涨超12%,金宏气体、安集科技涨超7%,南亚新材、凯赛生物、德邦科技均涨超5%。科创新材料ETF博时(588010)涨2.37%,最新价报1.208元。

科创新材料ETF博时(588010)成立于2022年9月30日,跟踪上证科创板新材料指数(000689),指数前十大持仓聚焦半导体硅片、碳化硅衬底、锂电正极材料、超导材料等核心赛道。截至2026年6月10日,ETF最新价格为1.182元,近1个月回报超11%,近5个交易日合计”吸金”6597万元。

近期多重利好催化

AI算力驱动碳化硅需求爆发

碳化硅(SiC)正成为AI时代被”严重忽略的核心主线”。随着英伟达GPU平台迭代,数据中心机柜功耗将从传统服务器的10-15千瓦飙升至2029-2030年的逾1.5兆瓦,涨幅接近100倍。华西证券研报指出,到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元,实现近8倍增长。Citrini预测,到2030年AI电源将占SiC电源市场的50%。

产业层面,2026年以来SiC行业迎来周期拐点:6英寸产品价格大幅反弹,8英寸止跌企稳。天岳先进2025年碳化硅衬底产量同比增长68.31%,销量同比增长75.33%。

华西证券指出,英伟达自2026年起适配GB300系列的AI智算中心必须采用固态变压器(SST)实现10kV至800V直流变换,SiC器件成为SST产品提升性能的核心支撑。该机构判断,到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元,实现近8倍增长;SiC有望成为AI新主线。(华西证券,《SiC深度(二):AI新主线:碳化硅SiC》,2026.5.20)

半导体硅片涨价+国产替代双轮驱动

2026年5月起,全球硅片三巨头(信越、SUMCO、环球晶)启动年内第二轮涨价,累计涨幅超15%。SEMI预测,2026年中国大陆12英寸晶圆产能将增至321万片/月,约占全球总产能的三分之一。沪硅产业2025年300mm硅片销量达641.63万片,同比增长27.01%,28nm产线订单已锁定至2028年。

中信证券判断,AI需求驱动下半导体硅片行业进入上行周期,量增逻辑已在2025年显现,涨价逻辑有望在2026年Q2出现。该机构预计2027年全球/中国12英寸硅片市场达101/25亿美元,CAGR约为11.4%/25.2%;SEMI预计2026年中国大陆12英寸晶圆产能将增至321万片/月,国产替代进程有望加速。(中信证券,《半导体硅片再迎上行周期》,2026.4.27)

文章来源:东方财富证券
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