芯联集成：碳化硅嵌入式方案是将SiC功率芯片通过基板内嵌、无键合互联、三维集成等方式实现高集成度的先进模块技术

证券日报网4月21日讯 ，芯联集成在接受调研者提问时表示，碳化硅嵌入式方案，是将SiC功率芯片通过基板内嵌、无键合互联、三维集成等方式实现高集成度的先进模块技术，相比传统封装具备更低寄生电感、更高功率密度和更好散热性能，能显著提升系统效率与功率密度。主要面向车载高压电驱、AI服务器电源等高端场景。嵌入式SiC目前主要难点在于：材料热膨胀差异大易产生应力失效，高压下绝缘与局部放电控制难度高，封装工艺复杂、良率与成本控制压力大等；嵌入式SiC产业化需要终端客户、PCB厂商、封装和芯片厂商的深度联合开发。从节奏来看，预计嵌入式碳化硅模块将在2027年前后迎来量产应用的新阶段。公司从市场需求出发，持续开发嵌入式核心芯片工艺和嵌入式方案，保证技术领先性。开发更加适配嵌入式的新型芯片设计和工艺，以及嵌入式的新材料研发。目前公司嵌入式SiC方案正在送样验证中。对产品业务而言，SiC嵌入式方案对于集成化提出挑战，公司深度配合市场需求，夯实芯片基础，开发更适配嵌入式方案的芯片、子单元和模块，加速嵌入式主驱上车市场化和量产化。

（文章来源：证券日报）