科创芯片设计 ETF国联安（588780）开盘涨幅超 3%

在全球市场情绪回暖、行业涨价潮落地及国内宏观数据向好的多重利好共振下，迎来强势开局，存储芯片板块大幅高开。

隔夜美股科技股全线暴涨，纳斯达克综合指数大涨 3.83%，标普 500 指数涨 2.91%，全球风险偏好显著回升。中东局势缓和信号进一步提振市场情绪，前期超跌的科技股迎来报复性反弹，英伟达、谷歌等 AI 龙头涨超 5%，直接带动国内科创板芯片设计板块开盘情绪升温。

行业层面，4 月 1 日起，英飞凌、德州仪器等全球半导体巨头新一轮涨价方案正式生效，覆盖模拟芯片、功率半导体等多个核心环节。存储芯片市场同步迎来跳涨，三星、SK 海力士等大厂自二季度起大幅上调 DDR5 颗粒价格，部分产品涨幅达 40%-100%，行业量价齐升趋势明确。

产业与技术协同层面，Marvell获英伟达20亿美元可转换优先股投资，双方将围绕核心技术展开深度合作。国内方面，华为2025年业绩亮眼，研发投入高企且明确将人工智能作为长期战略机遇，进一步强化产业成长预期。

当前，新技术板块在风险偏好拐点后展现出高弹性与广阔市场空间，M10架构、OCS、CPO等细分方向持续释放催化信号。科创芯片设计ETF国联安（588780）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，覆盖50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，具备20%涨跌幅弹性，精准聚焦半导体高景气细分赛道，有望持续受益于行业复苏与技术迭代红利。